瞻芯电子 IV3Q12013T4Z
发布时间:2024年08月26日
详细说明
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
特性
·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动
·高阻塞电压低电阻
·高速开关低电容
·高操作结温度能力
·非常快,健壮和软恢复固有身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计
·AEC-Q101合格
应用
·电动汽车电机驱动器
·太阳能MPPT和逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源
无锡科微半导体有限司
联系人:袁先生 先生 (经理)
电 话:0510-88688160
传 真:
手 机:13264812347
地 址:中国江苏无锡市无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城7-1004
邮 编:
网 址:
http://wxkw01.qy6.com.cn(
加入收藏)