公司名称：无锡科微半导体有限司
SiC MOSFET IV2Q12017T4Z 发布时间：2024年08月27日
详细说明
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·高操作结温度能力
·非常快速和健壮的内在身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用
应用
·电动电机驱动
·太阳能逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·高操作结温度能力
·非常快速和健壮的内在身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用
应用
·电动电机驱动
·太阳能逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源
公司产品信息
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ AutoIV2Q12080T4Z
IV2Q12017T4Z
瞻芯电子IV2Q12017T4Z
IV3Q12013T4Z SiC
SiC MOS IV2Q12080T4Z
SiC MOSFET IV2Q12017T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ
SiC MOSFET IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z
SiC MOSFET IV2Q12080T4Z
IV2Q12017T4Z SiC MOSFET
瞻芯电子IV1Q12080T4Z
IV3Q12013T4Z
IV2Q12017T4Z
SiC MOSFET IV2Q12080T4Z
IV2Q12017T4Z SiC
IV2Q12080T4Z 1200V 80mΩ Gen2 Autom
IV1Q12080T4Z SiC
IV3Q12013T4Z
无锡科微半导体有限司
联系人：袁先生 先生 (经理)
电 话：0510-88688160
传 真：
手 机：13264812347
地 址：中国江苏无锡市无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城7-1004
邮 编：
网 址：http://wxkw01.qy6.com.cn(
加入收藏)