公司名称：无锡科微半导体有限司
IV2Q12017T4Z 发布时间：2024年08月28日
详细说明
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·高操作结温度能力
·非常快速和健壮的内在身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用
应用
·电动电机驱动
·太阳能逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·高操作结温度能力
·非常快速和健壮的内在身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用
应用
·电动电机驱动
·太阳能逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源
公司产品信息
SiC MOS IV2Q12017T4ZIV3Q12013T4Z
SiC MOSFET IV1Q12080T4Z
SiC MOS IV1Q12080T4Z
瞻芯电子 IV3Q12013T4Z
IV1Q12080T4Z SiC MOSFET
IV3Q12013T4Z SiC
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET
IV1Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z
SiC MOS IV3Q12013T4Z
IV1Q12080T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Auto
IV2Q12017T4Z
SiC MOSFET IV2Q12080T4Z
SiC MOSFET IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z SiC MOSFET
IV3Q12013T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ
IV2Q12017T4Z SiC MOSFET
无锡科微半导体有限司
联系人：袁先生 先生 (经理)
电 话：0510-88688160
传 真：
手 机：13264812347
地 址：中国江苏无锡市无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城7-1004
邮 编：
网 址：http://wxkw01.qy6.com.cn(
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