二次离子质谱(SIMS)检测薄膜的成份等
发布时间:2015年09月17日
详细说明
二次离子质谱(SIMS)检测薄膜的成份等
二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。 它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析. 这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或低于ppm痕量级以下。
SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、 失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。
SIMS应用:
 掺杂剂与杂质的深度剖析
薄膜的成份及杂质测定 (金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族)
超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析
硅材料整体分析,包含B, C, O,以及N
工艺工具(离子植入)的高精度分析
主要优点:
SIMS应用优点:
 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度
 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率
 小面积分析(10 μm 或更大)
 检测包含H在内的元素及同位素
应用局限性:
 破坏性分析
 无化学键联信息
 只能分析元素
 样品必须是固态以及真空兼容
 要分析的元素必需是已知的​