公司名称：深圳市光华创新科技有限公司

描述
CS1N60A1H，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-92，符合RoHS标准。

特征
快速切换
低导通电阻（Rdson≤15Ω)
低栅极电荷（典型数据：4nC）
低反向转移电容（典型值：2.6pF）
100%单脉冲雪崩能量测试

应用
适配器和充电器的电源开关电路。