华润华晶CS14N10A3
发布时间:2022年11月24日
详细说明
描述
CS14N10A3,硅N沟道增强型VDMOSFET,通过高密度沟槽获得降低传导损耗、改善开关的技术性能并增强雪崩能量。此设备是适合用作负载开关和PWM应用。这个包装形式为TO-251,符合RoHS标准。
特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤150米Ω)
•低栅极电荷
•低反向转移电容
•100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路