公司名称：西安易恩电气科技有限公司

ENX2020功率器件雪崩耐量测试系统是本公司研发设计的测试Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT雪崩耐量的专业测试设备，系统满足美军标MIL-STD-750F·3470，能够准确快速的测试出IGBT、MOS、二极管的雪崩耐量。该设备包括：可控直流电源、可选电感、霍尔电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、功率型器件、功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试适配器（可定制）、外接测试端口等多个部分。

ENX2020 雪崩耐量测试系统



功能指标：



测试参数

功能指标

雪崩电压Va

10- 2500 V，分辨率1V

漏极电压

10-150 V，分辨率1V

栅极电压

2-20V，分辨率1V

漏极电流Ia

1A-100A，分辨率0.1A

漏电测试

电压= 2V-150V，I = 1.0 mA；Imax = 8.0 mA

雪崩能量 Eas/Ear

1mJ -100J ，分辨率1mJ

感性负载

0.01 mH-159.9 mH 程控式电感，分辨率10uH

参数输入

GPIB输入

波形捕捉和分析

雪崩电流 Ia、雪崩电压 Va 和雪崩能量 Eas波形可在示波器和工控机显示器上同时捕捉观察

输出

两路独立输出，用于测试 N，P 或者组合的 MOSFET，IGBT。

外部接口

PTNET：网络连接和控制的 PTNET,

提供最多 50 个虚拟 BIN；

Handler 接口：15-bin 控制的机械手接口；