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易恩电气雪崩耐量测试系统ENX2020A

发布时间:2020年09月01日

详细说明

ENX2020功率器件雪崩耐量测试系统是本公司研发设计的测试Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT雪崩耐量的专业测试设备,系统满足美军标MIL-STD-750F·3470,能够准确快速的测试出IGBT、MOS、二极管的雪崩耐量。该设备包括:可控直流电源、可选电感、霍尔电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、功率型器件、功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试适配器(可定制)、外接测试端口等多个部分。

ENX2020 雪崩耐量测试系统



功能指标:



测试参数

功能指标

雪崩电压Va

10- 2500 V,分辨率1V

漏极电压

10-150 V,分辨率1V

栅极电压

2-20V,分辨率1V

漏极电流Ia

1A-100A,分辨率0.1A

漏电测试

电压= 2V-150V,I = 1.0 mA;Imax = 8.0 mA

雪崩能量 Eas/Ear

1mJ -100J ,分辨率1mJ

感性负载

0.01 mH-159.9 mH 程控式电感,分辨率10uH

参数输入

GPIB输入

波形捕捉和分析

雪崩电流 Ia、雪崩电压 Va 和雪崩能量 Eas波形可在示波器和工控机显示器上同时捕捉观察

输出

两路独立输出,用于测试 N,P 或者组合的 MOSFET,IGBT。

外部接口

PTNET:网络连接和控制的 PTNET,

提供最多 50 个虚拟 BIN;

Handler 接口:15-bin 控制的机械手接口;

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