公司名称：西安易恩电气科技有限公司

EN-1230A型分立器件动态参数测试系统是针对于半导体器件进行非破坏性瞬态测试。用于可用于Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT的动态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标、系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。选件丰富，通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试功能，PC为系统主控计算机，测试结果可输出为EXCEL及文本格式。

EN-1230A 分立器件动态参数测试系统

参数条件：

基本参数/Basic parameters

功率源/Power source
阻性/感性开关特性单元
Resistance/Inductance

Switching performance unit

脉宽/Pulse width：50μs~2000μs、0.1μs步径/Steps 时间分辨率：1ns

栅极驱动/Gate drive：±30V，分辨率0.1V

电阻/Resistance：定制/Commission

漏极电压/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V

电流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A

电感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH，程控式连续可调

测试参数：开启延迟时间（td(on))、关断延迟时间（td(off))、上升时间（tr)、下降时间（tf)

栅极电荷单元

Gate charge unit

栅极驱动电流/Gate drive current：0~200mA，分辨率1.0mA

栅极电压/Gate voltage：±30V，分辨率±0.1V

电流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A

漏级电压/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V

栅极等效电阻范围/Gate equivalent resistance：0.1~50Ω，可调/Adjustable

测试参数：栅电荷（Qg)、栅源电荷（Qgs)、栅漏电荷（Qgd)、平台电压（Vgp)

反向恢复特性单元
Reverse recovery charge

test unit

正向电流（IF）：≤300A，分辨率0.1A

反向恢复时间（Trr）：10ns~2.0μs，分辨率1ns

反向恢复电流（Irm）：≤300A

反向恢复电荷（Qrr）：1nC~100μC，分辨率1nC

反向电压（Vr）：5V~1500V，step1V

电感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH,程控式连续可调

短路特性

Short circuit performance

*大电流/Max current：1000A

栅极驱动/Gate drive：±30V，分辨率 0.1V

脉冲时间/Pulse width：5us~100us

漏极电压/Drain voltage：5V~1500V，Step1V

测试参数/Test parameters：短路电流Isc