公司名称:湖北天为高温熔体压力传感器

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供应传感器对NH3比较敏感

发布时间:02月27日

详细说明

(1)用多壁碳纳米管制作电容式传感器
首先用高温热解法[7]在石英管壁上得到MWNTs。然后用平板叉指型电极和MWNTs/SiO2复合材料在印刷电路板上制作传感器。作为敏感材料的MWNTs/SiO2复合材料,制作方法是:刮下在石英管壁上可用的MWNTs,用超声波浴法把它们分散在甲苯中,然后用异丙醇清洗并干燥,*后将MWNTs分散到一个SiO2体系中—这个体系是20%的纳米SiO2颗粒分散到水中形成的。MWNTs/SiO2复合材料中MWNTs与SiO2的干重量比是2:3。
电容式传感器的结构如图3所示。现将传感器放在一个密封的60cm3气室中进行阻抗测试。选用氩气作为载流气体,总的流速是1000sccm,用主流控制器控制测试气体的压力,用一个Hewlett Packard 4192A阻抗分析仪进行阻抗测量。在每次测量之前,为除去化学吸附的分子,须将传感器在真空中加热,保持温度100℃1小时。*后测得的阻抗Z被分成两部分:实部Z′和虚部Z″,据此构成了Cole-Cole阻抗图(如图4)。
图4中,R0表示一个不依赖于频率变化的欧姆电阻, R1表示不依赖于频率变化的电阻,与一个依赖于频率变化的电容Cn1(ω)并连。
在图5中,随着湿度增加,Cole-Cole阻抗图圆弧的直径也有较大改变。从这种变化可知电容式传感器对某一气体或湿度是敏感的。另外,电容式传感器对CO2也比较敏感。C.A.Grimes等[8]人也成功利用电容式MWNTs传感器实现了对CO2的监测。 
(2)用多壁碳纳米管制作电阻式传感器
电阻式传感器,是用热氧化法在Si衬底上生长一厚层的SiO2,然后用光刻法制作出总长约45cm,臂宽约350μm,臂之间的间隙为290μm弯曲槽—控制反应物剂量可使纳米管生长在SiO2层上而不在Si衬底上生长。电阻式传感器的Cole-Cole图与电容式传感器的图类似。电阻式传感器的等效电路如图6所示,两个随频率变化的电容分别与电阻R1,R2并联,再与R0串联在一起。此外,电阻式传感器也可制成湿敏传感器。
两种传感器对NH3比较敏感,在对NH3的探测中,电阻R1和灵敏度几乎是完全的线性变化,可以做氨

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