公司名称：北京中泰达电子科技有限公司

CMPA2735075F 功率放大器 
75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier 

Cree’s CMPA2735075F is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility 
Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit 
(MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium 
arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron 
drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer 
greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs 
transistors. This MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier 
design approach enabling very wide bandwidths to be achieved. This 
MMIC enables extremely wide bandwidths to be achieved in a small 
footprint screw-down package. 
主要参数： 
• 27 dB Small Signal Gain 
• 80 W Typical PSAT 
• Operation up to 28 V 
• High Breakdown Voltage 
• High Temperature Operation 
• 0.5” x 0.5” Total Product Size 

产品应用： 
Civil and Military Pulsed Radar 
Amplifiers 

Datasheet http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/RF/Data%20Sheets/CMPA2735075F.pdf  

CGH31240F 
240 W, 2700-3100 MHz, 50-ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for 
S-Band Radar Systems 
Datasheet http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/RF/Data%20Sheets/CGH31240F.pdf  

CGH35240F 
240 W, 3100-3500 MHz, 50-ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for 
S-Band Radar Systems