公司名称：科睿科技有限公司

SMK0850F
先进的N-沟道功率MOSFET
开关稳压器应用
特点
?漏极电流(DC)=8A
?高源漏耐压：BVDSS=500V（*小）
?低反向传输电容反向传输电容=23pF（典型值）
?低栅极电荷QG =30nC（典型值）
?低导通内阻=0.8Ω（*大）
场效应管主要参数及含义 
符号        名称                      含义 
BVGSS     栅源耐压                   栅源之间的SiO2层很薄，耐压一般只有30～40V 
BVDSS     源漏耐压                   VGS=0，源漏反向漏电流达10uA时的VDS值 
VP        夹断电压                   在源极接地情况下，为使漏源电流输出为零时的栅源电压 
VT        开启电压                   当IDS达到1mA时，栅源之间的电压 
IGss      漏泄电流                   栅一沟道结施加反向电压下的反向电流，结型管为nA级，MOS管为pA级 
IDss      饱和漏源电流               零偏压VGS=0时的漏电流 
RGS       输入电阻                   栅源绝缘电阻，栅一沟道在反偏压下的电阻，结型管为100M Ω，MOS管为10000MΩ以上 
RDS       输出电阻                   漏极特性曲线斜率的导数，即1/RDS=△ID/△VDS 
gm        跨导                       表示栅极电压对漏极电流的控制能力 
IDs       源漏电流   
PD        耗散功率   
NF        噪声系数                   噪声是管子内载流子不规则运动引起的，场效应管要比晶体管小得多，NF愈小表示管子噪声愈小 
CGS       栅源电容                   输入电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高 
CDS       漏源电容                   输出电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高 
CGD       栅漏电容                   反馈电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高 
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SMK0460F

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