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供应GAL22CV10芯片解密与相关技术分析

发布时间:02月22日

详细说明

  龙人科技芯片解密服务中心长期专业承接GAL22CV10 IC解密等各类型IC解密、单片机解密项目合作,有GAL22CV10 IC解密需求者欢迎与龙人科技芯片解密服务中心联系咨询更多解密详情及报价信息,这里,我们仅提供对GAL22CV10芯片的基本介绍及性能特征分析,供客户及解密工程师参考借鉴。
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  关于GAL22LV10
  在4 ns的*大传输延迟时间GAL22LV10,提供*高的高速性能在PLD市场。该GAL22LV10C CAN接口与3.3V和5V的信号电平。该GAL22LV10是采用莱迪思半导体公司先进的3.3 E2CMOS过程,它结合了电可擦除(E2)的浮栅technology.High高速CMOS擦除时间“(<100毫秒)允许器件重新编程速度和效率。
  通用的架构提供了使输出逻辑宏单元(OLMC)将由user.Unique测试电路和可编程细胞完整配置允许交流,直流,并在制造过程中的功能测试*大的设计灵活性。因此,莱迪思半导体公司提供100%的现场可编程性和所有的GAL产品的功能。此外,100擦除/写周期为20年以上和数据保留的规定。
  GAL22LV10特点
  特点,功能框图
  高性能E2CMOS?技术
  - 4 ns的*大传输延迟
  - 250兆赫的Fmax =
  - 3 ns的*大时钟输入到数据输出
  - UltraMOS?先进的CMOS技术
  3.3V低电压22V10建筑
  - 符合JEDEC兼容3.3V的接口标准
  - 5V兼容输入
  - I / O接口与标准的5V TTL器件(GAL22LV10C)
  有源上拉对所有引脚(GAL22LV10D)
  E2的电池技术
  - 可重构逻辑
  - 细胞重新编程
  - 100%Tested/100%的产率
  - 高速电擦除“(<100毫秒)
  - 20年的数据保存
  十输出逻辑宏单元
  - *大的复杂逻辑设计的灵活性
  - 可编程输出极性
  预载和上电复位所有寄存器
  - 100%的功能可测性
  应用包括:
  - 胶合逻辑的3.3V系统
  - DMA控制
  - 状态机控制
  - 高速图形处理
  - 标准逻辑速度升级
  电子签名鉴定

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