公司名称：南京天翔电子技术有限公司

目 符号 单位 测试
条件 TLP180 / TLP181 TLP184 / TLP185 
*小值 典型值 *大值 *小值 典型值 *大值 
正向电压 VF V IF=10mA 1 1.15 1.3 1.1 1.25 1.4 
集电极暗电流 ICEO μA VCE=48V - 0.01 0.1 - 0.01 0.08 
集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO V IC=0.5mA 80 - - 80 - - 
集电极--发射极击穿电压 V(BR)ECO V IE=0.1mA 7 - - 7 - - 
电流传输比 IC/IF % IF=5mA,
VCE=5V 50 - 600 50 - 400 
饱和CTR IC/IF(sat) % IF=1mA,
VCE=0.4V - 60 - - 60 - 
饱和CTR, GB档产品 30 - - 30 - - 
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) V IC=2.4mA,
IF=8mA - - 0.4 - - 0.3 
集电极-发射极饱和电压，
GB档 IC=0.2mA,
IF=1mA - - 0.4 - - 0.3 
断开的集电极电流 IC(off) μA VF=0.7V,
VCE=48V - - 10 - 1 10