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供应芯片高温老化寿命试验(HTOL)
发布时间:06月29日
详细说明
芯片高温老化寿命试验(HTOL)
高温老化寿命试验(HTOL)
参考标准:JESD22-A108;
测试条件:
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
广州广电计量检测股份有限公司(GRGT)是原信息产业部电子602计量站,经过50余年的发展,现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构,专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务,在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。
GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力:
芯片可靠性验证(RA):
芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113;
高温存储试验(HTSL),JESD22-A103;
温度循环试验(TC),JESD22-A104;
温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101;
高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110;
高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108;
芯片静电测试(ESD):
人体放电模式测试(HBM),JS001;
元器件充放电模式测试(CDM),JS002;
闩锁测试(LU),JESD78;
TLP;Surge/EOS/EFT;
芯片IC失效分析(FA):
光学检查(VI/OM);
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs);
OBIRCH;Micro-probe;