公司名称：深圳市巨凡存储科技有限公司

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JEDEC Standard
DDR2 Speed Grade : 533Mbps
Micro DIMM : 214-pin
Memory Organization : x8 , x16 FBGA DRAM chip
DDR2 DRAM interface : SSTL_18
CAS latency : 4-4-4
Bandwidth : 4300MB/s
VDD voltage : 1.8+-0.1V
VDDQ voltage : 1.8+-0.1V
Standard OP Temp.: 0℃~+85℃
Serial presence detect with EEPROM.
PCB height : 1.181 inch
RoHS Compliant
Application : NoteBook
简介

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的*高容量可达到4 G，可显著提升内存模组的容量。

此款为DDR2-533 CL4微DIMM内存模组。该内存模组的密度从512MB到1GB，由FBGA封装的DDR2-533 MHz同步DRAM组成，用于安装在214脚插槽内。