CVD炉(碳化硅膜)
发布时间:2024年10月10日
详细说明
※应用领域:
CNT生产的CVD(SiC)设备是一种用于在基片上生成高质量SiC和SiO2薄膜的专用设备。淀积温度能够较高 (1300~1800℃可调 ) ,特别适用于半导体器件和集成电路的钝化,用以提高器件和集成电路可靠性。目前,它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。
※产品描述:
CNT公司生产的CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体,分子泵高真空系统,电源,生长机体载体及温控系统,独立排气和生长压力调节系统,冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。
※技术指标:
参 数 名 称 单 位 配置
沉积类型 碳化硅,氮化硅
电 源 射频电源,带正向功率和反射功率计指示,带匹配器
加热系统 平板式双反应室系统,带加温和匀气系统
工 作 温 度 ℃ 1300~1800℃
基片台尺寸 (φ×H)mm 1英寸、二英寸、三英寸、四英寸
基片台转速 转速0-20RPM
控 温 精 度 ℃ ±1
极限真空 pa 6.67.0×10-5
密封系统 磁流体密封
水冷、气路系统 冷却水循环机、无噪声气泵
报警及保护 对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施
真空系统
(选 配) 真空系列 单级机械泵、扩散泵机组、分子泵
工作腔体 不锈钢
气氛系统 浮子流量计、进口、国产质量流量计
记录装置 进口、国产无纸记录仪
备注:西尼特可根据阁下要求提供各种非标产品的设计制造,欢迎来函、来电咨询!
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西尼特(北京)电炉有限公司
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