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程控扩散炉

发布时间:2024年10月24日

详细说明

扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业,对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。

扩散炉技术指标:
可处理硅片尺寸:2—12英寸
外型形式:卧式1—4管结构
工作温度:200℃—1300℃
恒温区长度及精度:200mm—1100mm≤±0.5℃
单点温度稳定性、重复性: ≤±1℃/24h
温度斜变: 可控升温速率15℃/min
可控降温速率: 5℃/min
送片装置:全自动悬臂推拉舟、拉杆式推拉舟
气路系统:1—5路工艺气体/管
气体控制:全自动MFC
控制方式:工控机、触摸屏

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