四管高温扩散炉,可根据需求定制
发布时间:2024年09月13日
详细说明
应 用:半导体集成电路及器件的扩散、氧化、合金、退火等工艺
工 艺:扩散(硼扩散、磷扩散等),氧化(干氧氧化、湿氧氧化-去离子水氧化、氢氧合成氧化等),退火,合金等等
结 构:水平结构,垂直结构
晶圆规格:4"、5"、6"、8";
太阳能电池为125×125、156×156
工艺管数:水平结构为1-4管,垂直结构为1管
产品类型:生产型,科研型(R&D-小型)
产品等级:普通级(一般性的科研与生产)
标准级(国际通行技术标准及质量等级,如IC制造等)
系统组成:主机(FURNACE)、气源柜(GAS/SOURCE CABINET)、 工作台(LOADSTATION-自动送片/净化)、计算机控制系统
设备可配套提供典型的工艺及配套解决方案
扩散/氧化炉系统的主要技术指标
炉管配置:1-4管/台
晶圆规格:4"、5"、6"、8"
炉体控制段:3/5段
恒温区长:760(800)mm / 1000mm
反应室配置:石英管/碳化硅管
加热体材料:KANTHAL APM/A-1 或相当
温度均匀性:800-1300℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工艺温度范围:300-1300℃
可控升温速度:15-20℃/min
降温速度:(1250~1000℃ ) 8℃/min
控制系统:工业计算机(10"-15"液晶屏)
送片系统:SiC悬臂/双石英杆
净化等级:100级或更好
净化风流:水平或垂直
送片速度:100mm-500mm/min
定位精度:2mm
气源气路:EP级316L管道1/4"或3/8"
阀门组件:SWAGELOK或相当
管道焊接:自动轨道焊接
工艺保证:提供典型的工艺
青岛福润德微电子设备有限公司
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