IV2Q12080T4Z SiC MOSFET
发布时间:2024年08月23日
详细说明
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·175℃操作结温度能力
·超快和健壮的固有身体二极管
·开尔文门输入放松驱动电路设计
·AEC-Q101合格
应用
·电动汽车充电器和OBCs
·太阳能助推器
·汽车压缩机逆变器
·交流/直流电源
无锡科微半导体有限司
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