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供应40V 150A N沟道增强型MOS~AH150N04

发布时间:2024年05月24日

详细说明

深圳市振邦供应40V 150A N沟道增强型MOS~AH150N04采用先进的沟槽技术和
设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。 它
可以在各种各样的应用中。
特征:
VDS =40V,ID =150A
RDS(ON)<3毫欧 VGS= 10V RDS(ON)<4.0m毫欧 VGS= 4.5V
高密度电池设计超低导通电阻低
充分界定雪崩电压和电流
良好的稳定性和均匀性高WAS
优秀的包装为良好的散热
特殊的工艺技术,高ESD能力
应用领域:
1*电源开关应用
2*硬开关和高频电路
3*不间断电源供应
*对*大额定值:
1.漏 - 源电压VDS40V
2.栅源电压±20V
3.漏级电流150A
4.漏电流连续(TC=100℃)105A
5.漏电流脉冲600A
6.*大功率130瓦特
7.工作结存储温度范围-55?175℃
现以开始大批量供货,长期有现货,可提供型号样品,样板,技术等,
欢迎来咨询WV980

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