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富士通铁电存储器,FUJITSU FRAM,替代Ramtron型号

发布时间:2020年05月27日

详细说明

富士通铁电存储器FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来,还被应用于可穿戴设备、工业机器人以及无人机中。

富士通铁电存储器FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FRAM的数据保持,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能

富士通铁电存储器FRAM,可以完全取代Ramtron型号,完全兼容Cypress铁电。

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16K bits 2K x 8 27V-36V 1MHz 1012 20年 SOP8 与FM24CL16B完全兼容替代;

MB85RC64PNF-G-JNERE1 64K bits 8K x 8 2.7 V - 3.6 V 1MHz 1012 20年 SOP8 与FM24CL64和FM24CL64B完全兼容替代;

MB85RC128PNF-G-JNERE1 128K bits 16K x 8 2.7 V - 3.6 V 1MHz 1012 20年 SOP8 与FM24V01完全兼容替代

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