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IAE200X

发布时间:2015年07月01日

详细说明

IAE200X
InGaAs 雪崩二极管器件
品牌:Lasercomponents
封装:S5,S6,S7,T6,T8,Y1
型号:IAE200S5(TO-46 2pin),IAE200S6(TO-46 3pin),IAE200S7(TO-46 low profile),
      IAE200T6(TO-37 with TEC),IAE200T8(TO-37 with TEC),IAE200Y1(ceramic submount)
击穿电压(Vb ld=10uA):40-80
尺寸(um):Φ200
波峰(nm):1550
响应波段(nm):1000-1650
主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选,主要用于雪崩光电二极管单光子探测器,激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧
光检测、微弱光检测及高端医疗设备等。

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