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锗(Ge)靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料

发布时间:2022年02月15日

详细说明

锗(Ge)靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料
【参数说明】
支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 
【产品介绍】
粉末状呈暗蓝色,结晶状为银白色脆金属。化合价+2和+4。*电离能7.899电子伏特,是一种稀有金属,重要的半导体材料。不溶于水。
锗,就其导电的本领而言,优于一般非金属,劣于一般金属,这在物理学上称为"半导体",对固体物理和固体电子学的发展有重要作用。锗的熔密度5.32克/cm3,锗可能性划归稀散金属。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗,主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。
晶体结构:晶胞为面心立方晶胞,每个晶胞含有4个金属原子。
颜色和状态:银白色固体。
中文名 锗 熔点 938.25℃
化学式 Ge 沸点 2830℃
相对原子质量 72.64 密度 5.35克/立方厘米

【关于我们】
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!
我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。
注 :高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!
建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。
我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材,欢迎您的垂询。

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