公司名称：西安长禾半导体技术有限公司
长禾第三方功率器件检测中心IGBT测试 发布时间：2024年05月08日
详细说明
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流*大1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃； 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度*高150℃； 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*低-80℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流*大1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃； 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度*高150℃； 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*高150℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*低-80℃ 电压*高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
公司产品信息
半导体模块IGBT测试服务IGBT模块开关特性测试实验室
功率半导体模块可靠性 雪崩 浪涌 功率循环测试实验室
IGBT电子元器件失效分析实验室
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件开关时间测试
功率半导体模块可靠性 雪崩 浪涌 功率循环测试实验室
MOSFET电子器件失效分析实验室
MOSFET、IGBT直流电参数测试服务中心
MOSFET、IGBT栅极电阻测试服务中心
IGBT开关特性，反向恢复测试
电子元器件测试 分析 可靠性实验室
分立器件IGBT电参数测试服务
低温存储测试
IGBT,SiC MOS输入电容测试服务
MOSFET、IGBT反向恢复测试实验室
半导体电子元器件高温门极试验（HTGB）测试服务中心
IGBT动态参数测试服务（
IGBT，SIC MOS半导体动态测试服务
高低功率IGBT模块静态测试，动态测试第三方报告
IGBT开关时间损耗参数测试服务
西安长禾半导体技术有限公司
联系人：蒲经理 先生 (运营经理)
电 话：17792574070
传 真：
手 机：17792574070
地 址：中国陕西西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼0310室
邮 编：
网 址：http://chbdt.qy6.com.cn(
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