公司名称：扬州浪涌电气有限公司

为什么普通压敏芯片无法做到击穿点在中部？
压敏电阻通常烧成温度在1150～1200℃之间，压敏电阻中的氧化铋、氧化锑等低熔点物质在800～950℃即已经是液态，高温烧成下会形成气态进一步挥发，这种挥发主要发生在四周侧面，其后果是构成一个从侧面边缘到中部的低熔点物质浓度差分布，严重者在边缘地区形成一个低熔点物质的贫化带，做8/20μS模拟雷电冲击都有可能将之击穿。所以是压敏芯片的传统制造工艺决定了其击穿点只会在边缘，而且越靠近边缘越薄弱易击穿。这就决定指望用加大铜电极面积来遮盖击穿点的方法不仅是徒劳的（因为击穿点总会出现在导电体的边缘），而且还有隐患（更容易击穿）。
YLSP-T1-15KA/4P-385V（10/350us） Iimp=15kA
YLSP-T1-25KA/4P-320V（10/350us） Iimp=25kA
YLSP-T1-35KA/4P-320V（10/350us） Iimp=35kA
YLSP-T1-50KA/4P-320V（10/350us） Iimp=50kA
1级试验in100KA浪涌保护器up2.5kv 扬州浪涌电气有限公司专业制造！